Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Merkmale
3D NAND Technology, End-to-End-Datenpfadschutz, Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, Standard Endurance Technology (SET), 144 Layer Intel 3D NAND TLC, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
3
Laufwerkklasse
Read Intensive
Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
550 MBps (lesen)/ 510 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
90000 IOPS
4 KB Random Write
43000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
3 Watt (typisch)
Verschiedenes
Kennzeichnung
FCC Part 15 Class B, FCC Title 47, EN 55032:2012, EN 55035:2017, EN55022:2006, LVD 2014/35/EU, EMC 2014/30/EU, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2012/19/EU, UL 60950 Second Edition, CSA C22.2 No. 60950-1-07 Second Edition, UL/CSA/EN 62368-1, AS/NZS CISPR 32:2015, AS/NZS CISPR22:2009+A1:2010, BSMI CNS 13438, KCC Article 11.1, Morocco, ICES-003, VCCI, China EFUP
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 1 Jahr
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 g @ 5-700 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
3.13 g @ 5-800 Hz
Informationen zur Kompatibilität
Entwickelt für
Lenovo ThinkSystem SD650 V2 7D1M (2.5")
Lenovo ThinkSystem SD650-N V2 7D1N (2.5")
